主权项 |
一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置,其特征在于,包括:一光源(1),用于提供光束,激发待测样品(3)的肖特基势垒区域,使待测样品(3)发出光荧光;一第一透镜(2),位于待测样品(3)前,汇聚光源(1)发出的光束到待测样品(3)的肖特基势垒区域内;一待测样品(3),放置在样品台上,该待测样品(3)的肖特基势垒区域表面与入射的光束成一定角度,使该待测样品的肖特基势垒区域表面发出的光荧光进入第二透镜(5)和单色仪(6),且该待测样品的肖特基势垒区域表面反射的光束不进入第二透镜(5)和单色仪(6);一源表(4),与待测样品(3)连接,用于向待测样品(3)提供反向偏置电压;一第二透镜(5),放置在垂直于待测样品(3)的肖特基势垒区域表面方向的前方,汇聚待测样品(3)发出的光荧光,入射到其后的单色仪(6)入射狭缝里;一单色仪(6),用于接收待测样品(3)的肖特基势垒区域发出的光荧光,对光荧光进行波长进行扫描,出射光入射到其后的探测器组件(7)的接受区;一探测器组件(7),用于测量待测样品(3)发出的光荧光经单色仪(6)选定波长下的光强度;一计算机(8),用于控制源表(4)、单色仪(6)和探测器组件(7),实现源表(4)对待测样品(3)的不同反向偏置电压的设定,通过控制单色仪(6)和探测器组件(7)获取待测样品(3)在反向偏压下的光荧光光谱强度分布数据,得到待测样品(3)在不同反向偏置电压下肖特基势垒区域的光荧光光谱强度分布。 |