| 发明名称 | 鳍形半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板上具有半导体岛与介电层；在该半导体岛及该介电层上形成罩幕层；在该罩幕层内形成开口，该开口露出该半导体岛的顶面以及邻近该半导体岛的该介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻该罩幕层的一部分以及由该开口露出的该部分半导体岛与该介电层；以及移除该罩幕层与该介电层，在该半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。 | ||
| 申请公布号 | CN102938372A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201110291343.4 | 申请日期 | 2011.09.23 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林智清;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板上具有半导体岛与介电层；在所述半导体岛及所述介电层上形成罩幕层；在所述罩幕层内形成开口，所述开口露出所述半导体岛的顶面以及邻近所述半导体岛的所述介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻所述罩幕层的一部分以及由所述开口露出的部分半导体岛与所述介电层；以及移除所述罩幕层与所述介电层，在所述半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||