| 发明名称 | 纳米流体二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102923635A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210415048.X | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 弓晓晶;刘磊;邱永鑫;王子武;张锦平;王建峰;徐科 |
| 分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道； 所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面； 在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底； 其特征在于，所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集； 所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||