NMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种NMOS晶体管及其形成方法，所述NMOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的第一开口、位于所述第一开口的底部且与所述第一开口接触的第二开口、位于所述第二开口底部且与所述第二开口接触的第三开口，所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出；填充所述开口的碳化硅应力层，其中所述第三开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比小于所述第二开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比。所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出，且所述第二开口内的碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比较高，使得所述源/漏区能更有效地拉伸沟道区的晶格结构，提高电子在沟道区的迁移率。

主权项

一种NMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口，所述开口包括位于所述栅极结构两侧且与所述栅极结构接触的第一开口、位于所述第一开口的底部且与所述第一开口接触的第二开口、位于所述第二开口底部且与所述第二开口接触的第三开口，所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出；填充所述开口的碳化硅应力层，其中所述第三开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比小于所述第二开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比。