Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件，其特征在于，包含：激光器结构体，其包含：支撑基体，由六方晶系III族氮化物半导体构成，且具有半极性主面；及半导体区域，设置在所述支撑基体的所述半极性主面上；及电极，设置在所述激光器结构体的所述半导体区域上；所述半导体区域包含：第一包覆层，由第一导电型氮化镓基半导体构成；第二包覆层，由第二导电型氮化镓基半导体构成；及有源层，设置在所述第一包覆层与所述第二包覆层之间；所述第一包覆层、所述第二包覆层及所述有源层沿着所述半极性主面的法线轴排列；所述有源层包含氮化镓基半导体层；所述支撑基体的所述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于所述法线轴以有限的角度ALPHA向所述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向倾斜，所述角度ALPHA在45度以上80度以下或者100度以上135度以下的范围内；所述激光器结构体包含第一及第二断裂面，所述第一及第二断裂面与由所述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及所述法线轴规定的m‑n面交叉；该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含所述第一及第二断裂面；所述激光器结构体包含第一面及第二面，所述第一面为所述第二面的相反侧的面；所述第一及第二断裂面各自从所述第一面的边缘延伸至所述第二面的边缘；在所述第一及第二断裂面各面中，出现所述支撑基体的端面及所述半导体区域的端面；所述半导体区域的所述有源层的端面和与由所述六方晶系氮化物半导体构成的支撑基体的m轴正交的基准面所成的角度，在由所述III 族氮化物半导体的c轴及m轴所规定的第一平面内，构成(ALPHA‑5)度以上(ALPHA+5)度以下的范围的角度，在与所述第一平面及所述法线轴正交的第二平面内，构成在‑5度以上+5度以下的范围内的角度。