一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法

摘要

一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法，涉及发光及光存储技术领域，解决了现有的Eu2+, Sm3+双稀土掺杂的硫化物体系光激励发光强度弱、光存储性能低的问题。该电子俘获材料的化学式为Sr1-x-y-zEuxSmyRezS，其中，Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd；x、y、z为元素摩尔分数，取值范围为：0.0001≤ x ≤ 0.02，0.0001 ≤y ≤ 0.02，0.0001≤z ≤ 0.006。本发明的电子俘获材料的电子存储量比硫化物Eu2+， Sm3+双掺杂材料中电子存储量提高了1～4倍，材料的光激励发光强度和存储性能都得到有效地提高，更能满足商品化的要求。

主权项

一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料，其特征在于，该电子俘获材料的化学式为Sr1‑x‑y‑zEuxSmyRezS，其中，Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd；x、y、z为元素摩尔分数，取值范围为：0.0001≤ x ≤ 0.02，0.0001 ≤y ≤ 0.02，0.0001≤z ≤ 0.006。