半导体结构

摘要

本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含有载体以及多个混成凸块，该载体具有表面及多个凸块下金属层，上述混成凸块形成于上述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间。

主权项

一种半导体结构，其特征在于其至少包含：载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及多个混成凸块，其形成于上述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间，各该基底部具有第一高度，各该第二接合层具有第二高度。