应用ＨＤＰ淀积的源－体注入阻挡块的装置结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体功率装置。该沟道半导体功率装置包括沟道栅，该沟道栅从半导体基底的顶表面开口并由源区域包围，该源区域在汲区域上方的顶表面附近被包围在体区域中，该汲区域设置在基底的底表面上。该半导体功率装置进一步包括设置在体区域边上的台面区域的顶表面上方，并具有实质上大于0.3微米厚度的注入离子阻挡块，用以阻挡体注入离子和源离子进入台面区域下方的基底，由此用于制造半导体功率装置的掩模数能够得以减少。