氮化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向<0001>之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

主权项

一种氮化物半导体器件，包括：处理过的衬底，通过在氮化物半导体衬底表面上或在形成于氮化物半导体衬底以外的衬底上的氮化物半导体层表面上形成凹槽作为凹陷区而形成，和氮化物半导体多层膜，由包括首先形成在所述处理过的衬底表面上的氮化物半导体初始层的氮化物半导体多层膜构成，其中所述氮化物半导体初始层是含GaN的化合物，以及所述氮化物半导体初始层的层厚为0.5μm以下。