发明名称 提升金属薄膜结晶性的方法及其方法制得的金属薄膜材料
摘要 本发明是有关于一种提升金属薄膜结晶性的方法及其方法制得的金属薄膜材料,该方法包含以下步骤:(a)在一基板上形成一金属薄膜;(b)在该步骤(a)后,将该形成有该金属薄膜的基板放置于一基底上;及(c)在该步骤(b)后,对该基底提供一微波,该基底迅速地吸收该微波以转变成一热能,并均匀地传递该热能至该基板上的金属薄膜,进而提升该金属薄膜的结晶性并形成一结晶化金属薄膜;其中,该步骤(b)的基底是由一选自下列所构成的群组的材料所制成:半导体材料、石墨及碳纤维。本发明也提供一种经前述方法所制得的具有(111)优选方位的金属薄膜材料。
申请公布号 CN102912312A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201110227485.4 申请日期 2011.08.05
申请人 林宽锯 发明人 林宽锯;许纯渊
分类号 C23C14/58(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 C23C14/58(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种提升金属薄膜结晶性的方法,其特征在于,其包含以下步骤:(a)在一个基板上形成一层金属薄膜;(b)在该步骤(a)后,将该形成有该金属薄膜的基板放置于一个基底上;及(c)在该步骤(b)后,对该基底提供一微波,该基底迅速地吸收该微波以转变成一热能,并均匀地传递该热能至该基板上的金属薄膜,进而提升该金属薄膜的结晶性并形成一层结晶化金属薄膜;其中,该步骤(b)的基底是由一选自下列所构成的群组的材料所制成:半导体材料、石墨及碳纤维。
地址 中国台湾台中市南区新华街108号