| 发明名称 | 磁存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁存储器件及其制造方法。所述垂直磁存储器件，包括：钉扎层，所述钉扎层包括与至少一个第一间隔件交替层叠的多个第一铁磁层，其中，所述钉扎层被配置为具有垂直磁化；自由层，所述自由层包括与至少一个第二间隔件交替层叠的多个第二铁磁层；以及隧道势垒部，所述隧道势垒部耦合在所述钉扎层与所述自由层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102916125A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201110394804.0 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑东河;朴基善;闵受练 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种垂直磁存储器件，包括：钉扎层，所述钉扎层包括与至少一个第一间隔件交替层叠的多个第一铁磁层，其中，所述钉扎层被配置为具有垂直磁化；自由层，所述自由层包括与至少一个第二间隔件交替层叠的多个第二铁磁层；以及隧道势垒部，所述隧道势垒部耦合在所述钉扎层与所述自由层之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||