| 发明名称 | 低K介电层和成孔剂 | ||
| 摘要 | 提供了用于低k介电层的系统和方法。优选的实施例包括形成基体，以及在基体内形成成孔剂。成孔剂包含具有少于15个碳原子和大比例单键的有机环结构。另外，成孔剂可以具有大于1.3的粘度以及小于0.5的雷诺数。 | ||
| 申请公布号 | CN102915954A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210031926.8 | 申请日期 | 2012.02.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘中伟;杨慧君;彭羽筠;林耕竹 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一材料；以及在所述第一材料内形成第二材料，其中所述第二材料是成孔剂，所述成孔剂包括单键比例大于约80％的有机环结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||