| 摘要 |
<p>Um bei einem Verfahren zum Aufbringen einer MoS2-Beschichtung auf ein Substrat, bei dem man in einer Sputterkammer Molybdändisulfid in einer Gasentladung aus einem Molydändisulfid-Target freisetzt und auf dem Substrat niederschlägt (Sputtern) eine zur Oberfläche des Substrates parallel verlaufende Lamellenstruktur zu erzeugen, wird vorgeschlagen, daß man den Wasserdampfpartialdruck in der Sputterkammer so weit herabsetzt, daß ein vorgegebenes Verhältnis des Wasserdampfpartialdruckes zur Beschichtungsrate des Substrats unterschritten wird.</p> |
