发明名称 场发射型显示元件之拼组式中间层结构
摘要 一种场发射型显示元件之拼组式中间层结构,系以拼组模式设于阴阳极板间,该中间层结构系由复数之中间层所拼接而成,且于两相邻之中间层间具有一间隙,用以容设该中间层材料在封装时所产生之水平膨胀体积,另于阳极板及阴极板上设有夹合中间层之阻隔壁,其中于阴阳极板上且对应中间层结构所形成之间隙位置之两侧设有作为支撑之阻隔体,该阻隔体系由导电材质所构成,并贴抵该中间层之上下两面,以作为各中间层之电极通路,藉由该拼组之中间层结构,除以降低单一中间层之膨胀变形而耗损之风险外,更提升中间层对位之精准度。
申请公布号 TWI384899 申请公布日期 2013.02.01
申请号 TW095147870 申请日期 2006.12.20
申请人 东元电机股份有限公司 台北市中山区松江路156之2号 发明人 詹德凤;方金寿;杨镇在
分类号 H05B33/10 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项
地址 台北市中山区松江路156之2号