| 发明名称 | 消除接触孔工艺中桥接的方法 | ||
| 摘要 | 一种消除了接触孔工艺中桥接的方法，提供了包括多步适应性保护薄膜沉积工艺的清洁菜单，在HDP CVD设备腔室的侧壁上形成叠层适应性保护薄膜，叠层适应性保护薄膜具有良好的粘附性、致密性和均匀性，可以保护HDP CVD设备腔室的侧壁，使其不会受到等离子体的伤害，还避免了缺陷颗粒的产生，提高了HDP CVD工艺的技术良率，消除了接触孔工艺中的桥接现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102903613A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201110208407.X | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种消除接触孔工艺中桥接的方法，其特征在于，包括：对高密度等离子体化学气相淀积设备的腔室进行清洁，该清洁工艺包括设定清洁菜单，在上述清洁菜单中，设置多步的适应性保护薄膜沉积工艺，用以在所述腔室的侧壁上形成叠层适应性保护薄膜，该叠层适应性保护薄膜保护所述腔室的侧壁，使所述腔室的侧壁在高密度等离子体化学气相淀积工艺中不会受到等离子体的损伤。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||