| 发明名称 | 检测合金方块电阻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测合金方块电阻的方法，所述方法包括下列步骤：提供一基底；在所述基底上形成一层氧化物层；在所述氧化物层上形成含硅材料层；在所述含硅材料层上形成第一合金层；对上述形成的结构进行退火处理，使得所述第一合金层和与其接触的部分含硅材料层形成第二合金层；检测所述第二合金层的方块电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102136439B | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201010102366.1 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云;陈勇 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种检测合金方块电阻的方法，所述方法包括下列步骤：提供一基底；在所述基底上形成一层厚度为30～100埃的氧化物层；在所述氧化物层上形成含硅材料层；在所述含硅材料层上形成第一合金层；检测所述第一合金层的方块电阻；对上述形成的结构进行退火处理，使得所述第一合金层和与其接触的部分含硅材料层形成第二合金层；检测所述第二合金层的方块电阻。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||