| 发明名称 | 包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102903753A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210090456.2 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 田尚勋;柳寅敬;金昌桢;金英培 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/221(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：绝缘衬底；沟道层，在所述绝缘衬底上；栅极，从所述沟道层的上表面至少部分地延伸到所述沟道层的内部；源极和漏极，在所述沟道层上分别在所述栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕所述栅极且将所述栅极与所述沟道层、所述源极和所述漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在所述绝缘衬底和所述栅极之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||