半导体材料处理设备的镀铝部件和制造该部件的方法

摘要

公开半导体材料处理设备的镀铝部件。该部件包括基片和形成在该基片至少一个表面上的可选的中间层。该中间层包括至少一个表面。铝镀层形成在该基片上，或在该可选的中间层上。其上形成该铝镀层的表面是导电的。阳极氧化层可选地形成在该铝镀层上。该铝镀层或可选的该阳极氧化层包括该部件的工艺暴露表面。还公开包括一个或多个镀铝部件的半导体材料处理设备、处理基片的方法和制作该镀铝部件的方法。

主权项

一种半导体材料处理设备的抗蚀剂剥除室的镀铝部件，该部件包括：基片，至少包括第一表面；在该基片的第一表面上或在中间层的第二表面上的高纯度、电沉积铝镀层，其中所述中间层形成在所述基片的第一表面上；其中其上设有该镀铝层的该第一表面或该第二表面是导电表面，该铝镀层包括该部件的工艺暴露外表面，以及其中该铝镀层包括，以wt.％计，≥99.00％Al、≤0.10％Cu、≤0.10％Mg、≤0.015％Mn、≤0.02％Cr、≤0.07％Fe、≤0.025％Zn、≤0.06％Si、≤0.015％Ti和≤0.015％总的其他元素。