金属化方法以及防止铜铝合金出现腐蚀性缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种金属化方法，包括如下步骤：在芯片上已经形成的第n层铜铝合金薄膜表面沉积钝化层，n为自然数；在钝化层表面涂布光刻胶，并进行曝光显影，形成光刻胶图案；以光刻胶图案为掩膜对钝化层进行蚀刻，蚀刻造成的凹坑底部要达到第n层铜铝合金薄膜；用剥除液对发生蚀刻反应的部分进行湿法剥除处理；然后再将芯片浸入盛放在容器的清洗液中，清洗液对发生蚀刻反应的部分进行湿法清洗，同时在盛放清洗液的容器中持续通入二氧化碳气体；在蚀刻造成的凹坑中沉积金属阻挡层以及第n+1层铜铝合金薄膜。本发明还公开了一种防止铜铝合金出现腐蚀性缺陷的方法。本发明方案可以极大避免铜铝合金表面出现腐蚀性缺陷的概率。

主权项

一种金属化方法，包括如下步骤：在芯片上已经形成的第n层铜铝合金薄膜表面沉积钝化层，n为自然数；在钝化层表面涂布光刻胶，并进行曝光显影，形成光刻胶图案；以光刻胶图案为掩膜对钝化层进行蚀刻，蚀刻造成的凹坑底部要达到第n层铜铝合金薄膜；用剥除液对发生蚀刻反应的部分进行湿法剥除处理；然后再将芯片浸入盛放在容器的清洗液中，清洗液对发生蚀刻反应的部分进行湿法清洗，同时在盛放清洗液的容器中持续通入二氧化碳气体；在蚀刻造成的凹坑中沉积金属阻挡层以及第n+1层铜铝合金薄膜。