| 摘要 |
Es sind vorgesehen: eine n-Leitungsschicht 2, die eine erste Region 2a, eine zweite Region 2b und eine Rückfläche 2c aufweist; eine aktive Schicht 3 und eine p-Leitungsschicht 4, die in der ersten Region 2a der n-Leitungsschicht 2 vorgesehen sind; eine p-Elektrode 5, die auf einer Hauptfläche der p-Leitungsschicht 4 vorgesehen ist; ein Isolierfilm 15, der an einer Innenwand eines Durchgangslochs 8 vorgesehen ist, wobei das Durchgangsloch 8 durch die n-Leitungsschicht 2 verläuft und Öffnungen in der zweiten Region 2b und der Rückfläche 2c der n-Leitungsschicht 2 aufweist; ein Leiterabschnitt 9, der auf einer Fläche des Isolierfilms 15 in dem Durchgangsloch 8 vorgesehen ist; eine Vorderflächen-n-Elektrode 6, die in der zweiten Region 2b vorgesehen ist und mit dem Leiterabschnitt 9 in Kontakt steht; und eine Rückflächen-n-Elektrode 7, die auf der Rückfläche 2c der n-Leitungsschicht 2 vorgesehen ist und mit dem Leiterabschnitt 9 in Kontakt steht.
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