| 主权项 |
1.一种区域内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一耐熔性金属氧化层,在该基底上;以及进行氢处理,选择性转换部分该耐熔性金属氧化层成为导体。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,于提供该基底步骤时,该基底上已形成有复数个半导体元件,与用以隔离主动区之复数个绝缘隔离结构。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接该些半导体元件中相邻元件之任二电极。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接任一该半导体元件之任二电极。5.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2.Ta2O5.Fe2O3与BaTiO3其中择一。6.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中,该氢处理包括氢电浆处理与氢热处理两者择一。7.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中,该氢处理步骤前,更包括形成一罩幕层,在部分该耐熔性金属氧化层上。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括光阻层与扩散阻障层两者择一。9.一种区域内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一耐熔性金属氧化层,在该基底上;选择性移除部分该耐熔性金属氧化层;以及进行氢处理,选择性转换部分经移除后所剩余之该耐熔性金属氧化层成为导体。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,于提供该基底步骤时,该基底上已形成有复数个半导体元件,与用以隔离主动区之复数个绝缘隔离结构。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接该些半导体元件中相邻元件之任二电极。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接任一该半导体元件之任二电极。13.如申请专利范围第9或10项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2.Ta2O5.Fe2O3与BaTiO3其中择一。14.如申请专利范围第9或10项所述之制造方法,其中,以微影蚀刻方式,选择性移除部分该耐熔性金属氧化层。15.如申请专利范围第9或10项所述之制造方法,其中,该氢处理包括氢电浆处理与氢热处理两者择一。16.如申请专利范围第9或10项所述之制造方法,其中,该氢处理步骤前,更包括形成一罩幕层,在部分该耐熔性金属氧化层上。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括光阻层与扩散阻障层两者择一。18.一种区域内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一耐熔性金属氧化层,在该基底上;选择性移除部分该耐熔性金属氧化层;以及进行氢处理,转换经移除后所剩余之该耐熔性金属氧化层成为导体。19.如申请专利范围第18项所述之制造方法,其中,于提供该基底步骤时,该基底上已形成有复数个半导体元件,与用以隔离主动区之复数个绝缘隔离结构。20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接该些半导体元件中相邻元件之任二电极。21.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,被转换成导体之部分该耐熔性金属氧化层,电性连接任一该半导体元件之任二电极。22.如申请专利范围第18或19项所述之制造方法,其中,该耐熔性金属氧化层包括TiO2.Ta2O5.Fe2O3与BaTiO3其中择一。23.如申请专利范围第18或19项所述之制造方法,其中,以微影蚀刻方式,选择性移除部分该耐熔性金属氧化层。24.如申请专利范围第18或19项所述之制造方法,其中,该氢处理包括氢电浆处理与氢热处理两者择一。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知区域内连线之制造流程剖面示意图;第二图A至第二图B绘示依照本发明第一较佳实施例之一种区域内连线之制造流程剖面示意图;第三图A至第三图B绘示依照本发明第二较佳实施例之一种区域内连线之制造流程剖面示意图;以及第四图A至第四图B绘示依照本发明第三较佳实施例之一种区域内连线之制造流程剖面示意图。 |
