| 摘要 |
Ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers einer optischen Einrichtung wird offenbart, bei welchem eine Schicht einer optischen Einrichtung umfassend eine n-leitende Halbleiterschicht und eine p-leitende Halbleiterschicht über eine Oberfläche eines Saphirsubstrates ist mit einer dazwischen angeordneten Pufferschicht geschichtet, um das Saphirsubstrat abzuziehen. Das Verfahren umfasst einen Saphirsubstratverbindungsschritt, bei dem ein Transfersubstrat mit einer Oberfläche der Schicht der optischen Einrichtung verbunden wird, einen Pufferschichtbrechschritt, bei dem die Pufferschicht durch Bestrahlen mit einem gepulsten Laserstrahl von der Seite des Saphirsubstrats des Wafers der optischen Einrichtung, wobei das Transfersubstrat mit der Oberfläche der Schicht der optischen Einrichtung verbunden ist, gebrochen wird und einen Saphirsubstratabziehschritt, bei dem das Saphirsubstrat von dem Wafer der optischen Einrichtung abgezogen wird, wobei die Pufferschicht gebrochen ist, um die Schicht der optischen Einrichtung auf das Transfersubstrat zu übertragen. Der gepulste Laserstrahl bei dem Pufferschichtbrechschritt weist eine Wellenlänge auf, die eingestellt ist, um länger zu sein als eine Absorptionskante des Saphirsubstrats und um kürzer zu sein als eine Absorptionskante der Pufferschicht und weist eine Pulsweite auf, die so eingestellt ist, dass eine thermische Diffusionslänge nicht mehr als 200 nm beträgt.
|
