| 摘要 |
本发明之课题系提供一种非挥发性半导体记忆体，其系由利用可避免写入速度和读取速度的下降之岛状半导体层的侧壁之记忆体单元所构成。为了解决上述课题，上述非挥发性半导体记忆体系形成岛状半导体层于半导体基板上，该岛状半导体层系具有下列构成而组成非挥发性半导体记忆体单元：汲极扩散层，形成于岛状半导体层上部；源极扩散层，形成于岛状半导体层下部；电荷蓄积层，隔着闸极绝缘膜而形成于夹介在汲极扩散层和源极扩散层之侧壁的通道区域上；以及控制闸极，形成于电荷蓄积层上；将该非挥发性半导体记忆体单元予以行列状排列且将连接于汲极扩散层的位元线配线于行方向，将控制闸极线配线于列方向，将连接于源极扩散层的源极线配线于行方向，其特征在：上述非挥发性半导体记忆体系按每预定数的控制闸极线形成连接于源极线之共同源极线，该共同源极线系由金属所形成，且将该共同源极线配线于列方向。 |
