一种MOM电容的制造方法

摘要

本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积绝缘介质层；通过两次图形化工艺，在所述绝缘介质层中分别形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽中填充金属，形成第一电极与第二电极。通过本发明的方法，可以得到小于光刻工艺约束的图形间距，大大减少了相邻两个电极指状极板之间的距离，从而在提高MOM电容容量的同时又可以减小电容所占芯片面积。

主权项

一种MOM电容的制造方法，其中，所述MOM电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积绝缘介质层；通过两次图形化工艺，在所述绝缘介质层中分别形成代表第一电极图形的第一沟槽和代表第二电极图形的第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽中填充金属，形成第一电极与第二电极。