一种SRAM单元

摘要

本实用新型提出一种全新的6管SRAM单元结构，此结构采用读写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且此结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读写功能，并且读写速度和6管基本相同，但是比普通6管SRAM单元读写功耗显著降低。本实用新型能够有效的提高静态噪声容限从而增强了存储单元的稳定性，并且极大的降低整体的功耗。

主权项

一种SRAM单元，其特征在于主要包括如下部分：由M2和M4的P型MOS管，以及M1，M3，M5，M6的N型MOS管构成的存储单元；第一N型MOS管的漏极与第二P型MOS管的漏极连接于存储节点Q，所述第二P型MOS管的源极与所述第三P型MOS管的源极均连接于高电源电平，所述第三P型MOS管漏极与第四型N型MOS管漏极连接于存储节点Qbar，所述第三P型MOS管栅极与第四型N型MOS管栅极连接于存储节点Q，所述第一N型MOS管的栅极连接于字线信号，而源极连接于位线非信号线；所述第二P型MOS管的栅极与第五N型MOS栅极连接于存储节点Qbar，所述第五N型MOS管的源极连接于位线信号，所述第五N型MOS管的栅极连接于读控制信号线，所述第四N型MOS管的漏极和第六N型MOS管的漏极连接于低电源电平。