发明名称 |
太赫兹频段双缝型混频天线 |
摘要 |
本发明提供了太赫兹频双缝型混频天线、太赫兹频段双缝型亚谐波混频天线以及太赫兹频段双缝型亚谐波可偏置混频天线。所述混频天线包括双缝型天线和肖特基二极管,肖特基二极管包括肖特基接触电极、欧姆接触电极和电镀引线,肖特基二极管位于双缝型天线的射频馈电端口位置;采用半导体工艺制作肖特基二极管和双缝型天线,肖特基二极管和双缝型天线以同一半绝缘砷化镓层为衬底。本发明的混频天线可以实现太赫兹频段信号的空间耦合与检测,同时具有小体积、轻质量和高度一致性的特点,适合于大规模成像阵列。 |
申请公布号 |
CN102881987A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210384791.3 |
申请日期 |
2012.10.11 |
申请人 |
胡延安 |
发明人 |
胡延安 |
分类号 |
H01Q1/22(2006.01)I;H01Q23/00(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q1/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 |
代理人 |
龚海军 |
主权项 |
一种太赫兹频段双缝型混频天线,包括双缝型天线和肖特基二极管,肖特基二极管包括肖特基接触电极、欧姆接触电极和电镀引线,肖特基二极管位于双缝型天线的射频馈电端口位置;肖特基二极管的肖特基接触电极通过电镀引线与双缝型天线的一极相连;肖特基二极管的欧姆接触电极与双缝型天线的另一极相连;采用半导体工艺制作肖特基二极管和双缝型天线,采用半导体工艺制作肖特基二极管和双缝型天线,肖特基二极管和双缝型天线以半绝缘砷化镓层为衬底。 |
地址 |
100076 北京市丰台区东高地梅源里4幢3单元12号 |