发明名称 mÉtodo de fabricaÇço de um dispositivo semicondutor, dispositivo semicondutor e sistema de distribuiÇço de energia para aeronave
摘要 MÉTODO DE FABRICAÇçO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SISTEMA DE DISTRIBUIÇçO DE ENERGIA PARA AERONAVE. Trata-se de um método de fabricação de um dispositivo semicondutor que compreende aplicar uma primeira camada (16) que compreende silicio a uma segunda camada (15) que compreende carboneto de silício, pelo qual uma interface é definida entre as primeira e segunda camadas, e ao oxidar parte ou toçia a primeira camada (16).
申请公布号 BRPI1103938(A2) 申请公布日期 2013.01.15
申请号 BRPI1103938 申请日期 2011.09.05
申请人 GE AVIATION SYSTEMS LIMITED 发明人 ADRIEN SHIPLEY;JAMES COVINGTON;MICHAEL JENNINGS;PHILIP MAWBY
分类号 H01L21/02;H01L21/28;H01L29/12 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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