发明名称 |
mÉtodo de fabricaÇço de um dispositivo semicondutor, dispositivo semicondutor e sistema de distribuiÇço de energia para aeronave |
摘要 |
MÉTODO DE FABRICAÇçO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SISTEMA DE DISTRIBUIÇçO DE ENERGIA PARA AERONAVE. Trata-se de um método de fabricação de um dispositivo semicondutor que compreende aplicar uma primeira camada (16) que compreende silicio a uma segunda camada (15) que compreende carboneto de silício, pelo qual uma interface é definida entre as primeira e segunda camadas, e ao oxidar parte ou toçia a primeira camada (16).
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申请公布号 |
BRPI1103938(A2) |
申请公布日期 |
2013.01.15 |
申请号 |
BRPI1103938 |
申请日期 |
2011.09.05 |
申请人 |
GE AVIATION SYSTEMS LIMITED |
发明人 |
ADRIEN SHIPLEY;JAMES COVINGTON;MICHAEL JENNINGS;PHILIP MAWBY |
分类号 |
H01L21/02;H01L21/28;H01L29/12 |
主分类号 |
H01L21/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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