| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置结构，其包含一第一场效电晶体("FET")，该第一FET具有一第一通道区、一第一源极区、一第一汲极区及一覆于该第一通道区上之第一闸极导体。包含一第二FET，其具有一第二通道区、一第二源极区、一第二汲极区及一覆于该第二通道区上之第二闸极导体。该第一及该第二闸极导体为在第一及第二通道区上延伸之单一狭长导电部件的部分。一第一受应力薄膜覆于该第一FET上，该第一受应力薄膜施加一具有第一值之应力至第一通道区。一第二受应力薄膜覆于该第二FET上，该第二受应力薄膜施加一具有第二值之应力至第二通道区。该第二值大体上不同于该第一值。此外，该第一及该第二受应力薄膜于一共同边界处彼此邻接且在该共同边界处呈现一大体上同平面的主表面。 |
