台型半导体装置及其制造方法

摘要

在台型半导体装置及其制造方法中，提升耐电压并降低漏电流。于半导体基板(1)的表面形成N-型半导体层(2)，于N-型半导体层(2)的上层形成P型半导体层(3)。接着，从P型半导体层(3)的表面蚀刻PN接合部JC、N-型半导体层(2)、达至半导体基板(1)的厚度方向的中途，而形成越接近半导体基板(1)其宽度越大的台沟(8)。接着，由湿蚀刻去除因前述蚀刻所产生的台沟(8)内壁的损伤层，且在接近P型半导体层(3)的表面的区域中以越接近P型半导体层(3)的表面其宽度越大的方式来加工台沟(8)。之后，切割由半导体基板(1)以及层叠于半导体基板(1)的各层所构成的层叠体。

主权项

一种台型半导体装置的制造方法，包含有：准备第一导电型的半导体基板，并于前述半导体基板的表面形成比前述半导体基板的浓度还低的第一导电型的第一半导体层的步骤；于前述第一半导体层的表面形成第二导电型的第二半导体层的步骤；第一蚀刻步骤，是形成台沟，该台沟是从前述第二半导体层的表面到达前述半导体基板中，且随着从前述第二半导体层的表面越接近前述半导体基板其宽度越大；以及第二蚀刻步骤，是去除因前述第一蚀刻步骤所产生的前述台沟的内壁的损伤层，且是以前述台沟的宽度随着从前述第一半导体层与前述第二半导体层的接触而形成的PN接合部的上方越接近第二半导体层的表面其宽度越大的方式来进行；前述第一蚀刻步骤是使用50mTorr的压力下的干蚀刻来进行。