半导体封装构造及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法是先提供一薄型重布线转接层，其设于一半导体基材层上；再通过一粘着层将所述薄型重布线转接层固定在一临时性承载板上；接着，移除所述半导体基材层；并对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔；随后，将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层上；然后，利用一封装胶体包覆所述芯片；再移除所述粘着层及临时性承载板；最后，将所述薄型重布线转接层电性连接至一电路基板上。所述薄型重布线转接层不具有硅基材，同时也不需进行穿硅导通孔工艺，可以取代现有硅间隔层，不但有利于封装构造的薄型化趋势，并可相对降低封装成本。

主权项

一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一薄型重布线转接层，所述薄型重布线转接层设于一半导体基材层上，所述薄型重布线转接层的内部具有至少一电路层，及所述薄型重布线转接层的一下表面具有数个转接凸块；通过一粘着层将所述薄型重布线转接层的下表面固定在一临时性承载板上；移除所述半导体基材层，以裸露所述薄型重布线转接层的一上表面；对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔以形成数个通孔，所述通孔分别露出所述电路层的数个部分；将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层的所述电路层的所述数个露出部分；利用一封装胶体包覆所述芯片；以及移除所述粘着层及临时性承载板，以裸露所述薄型重布线转接层的下表面的转接凸块。