薄膜晶体管面板

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管面板，包括一绝缘基板、及设置于其上的多个源极线、多个栅极线、多个像素电极及多个薄膜晶体管，该多个源极线按行相互平行设置，该多个栅极线按列相互平行设置，该多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成多个网格区域，该每一网格区域中设置一像素电极及一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并与一栅极线电连接，其中，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层。

主权项

一种薄膜晶体管面板，包括：一绝缘基板；多个源极线，该多个源极线位于绝缘基板表面并按行相互平行设置；多个栅极线，该多个栅极线位于绝缘基板表面并按列相互平行设置，该多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成多个网格区域；多个像素电极，每一像素电极设置于每一网格区域中；以及多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管设置于每一网格区域中，该薄膜晶体管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并与一栅极线电连接，其特征在于，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层，该碳纳米管层由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管沿源极至漏极方向择优取向排列，所述半导体性碳纳米管层包括一个碳纳米管薄膜或重叠设置的多个碳纳米管薄膜，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管平行于碳纳米管薄膜的表面。