一种二硫化钼纳米片薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种二硫化钼纳米片薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是MoS2纳米片竖立有序地生长在导电基底上，MoS2纳米片的直径为0.05-2μm，纳米片的厚度为2-30nm。其制备方法有两种，一种是以铜片、银片、钛片、钨片、钼片和碳为基底，将基底置于钼酸盐在含硫化合物（包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸）溶液中进行水热反应，在基底上生长致密、均匀有序的MoS2纳米片状薄膜。另一种方法是将钼片直接置入含硫化合物（包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸）溶液中，在水热条件下发生硫化反应，在钼基底上形成致密均匀的MoS2纳米片有序薄膜。该薄膜具有较低的析氢过电位（-30mv），塔菲尔斜率小（52mV/dec），有较高的电化学稳定性，是一种极具应用前景的析氢电极材料。

主权项

一种二硫化钼纳米片薄膜材料，是MoS2纳米片竖立有序地生长在基底上，MoS2纳米片的直径为0.05‑2μm，纳米片的厚度为2‑30 nm。