发明名称 |
一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的制作方法,包括:制作栅极;制作体区,其中所述体区包含体区弯度,其中制作所述体区包括:在所述半导体衬底上制作阱,其中所述阱为第一掺杂类型;制作基区,其中所述基区为所述第一掺杂类型,所述基区和所述阱部分重叠,且所述基区比所述阱深度浅;以及制作源极区和漏极接触区,其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型,所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接,所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧;其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。 |
申请公布号 |
CN102856209A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210269846.6 |
申请日期 |
2012.08.01 |
申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
郑志星 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的方法,包括:制作栅极;制作体区,其中所述体区包含体区弯度,制作所述体区包括:在所述半导体衬底上制作阱,其中所述阱为第一掺杂类型;和制作基区,其中所述基区为所述第一掺杂类型,所述基区和所述阱部分重叠,且所述基区比所述阱深度浅;以及制作源极区和漏极接触区,其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型,所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接,所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧;其中通过调节所述阱的布图宽度来控制所述体区弯度。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号 |