半导体结构的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法，所述半导体器件的形成方法包括提供衬底以及位于衬底上的介质层；在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；形成覆盖通孔开口的掩膜层；以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度。本发明半导体结构的形成方法减少了掩模的使用次数，提高所形成半导体结构的成品率和器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于衬底上的介质层；在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；以光刻胶层为掩模，沿沟槽图形和通孔图形刻蚀介质层，至露出衬底，形成沟槽以及通孔；形成覆盖通孔开口的掩膜层；以光刻胶层和掩膜层为掩模，沿沟槽刻蚀所述衬底，使沟槽达到预定深度。