发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
摘要 | 一种等离子体处理装置包括提供内部空间的腔室,在该内部空间中在对象上执行处理;以及等离子体生成单元,其在所述内部空间中产生电场,以由提供给内部空间的源气体生成等离子体。所述等离子体生成单元包括与所述腔室的上表面大致平行地设置的上部源、连接到所述上部源以向所述上部源提供第一电流的上发生器、围绕所述腔室的侧面的侧源、以及连接到所述侧源以向所述侧源提供第二电流的侧发生器。所述等离子体生成单元还包括设置在所述上发生器和所述上部源之间的上匹配器、以及设置在所述侧发生器和所述侧源之间的下匹配器。 | ||
申请公布号 | CN101952941B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
申请号 | CN200980104768.0 | 申请日期 | 2009.02.12 |
申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 禹相浩;梁日光 |
分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;王伶 |
主权项 | 一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室,其提供内部空间,在该内部空间处在对象上执行处理;以及等离子体生成单元,其在所述内部空间中产生电场,以由提供到所述内部空间的源气体生成等离子体,所述等离子体生成单元包括:上部源,其与所述腔室的上表面平行地设置;上发生器,其连接到所述上部源,以向所述上部源提供第一电流;侧源,其围绕所述腔室的侧面;以及侧发生器,其连接到所述侧源,以向所述侧源提供第二电流,其中,制冷剂被提供到所述上部源和所述侧源的内部,并且使用冷却器来将所述制冷剂控制到具有预设的温度。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |