| 发明名称 | 微穿通型IGBT器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。通过在漂移区和集电区间形成了掺杂浓度比漂移区的浓度高的微穿通区，使得在关断期间，衬底的电场强度在微穿通区中基本降到零，因此衬底厚度可以明显减薄，使IGBT具有更低的导通电阻、饱和压降、以及更低的通态损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102856353A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110175567.9 | 申请日期 | 2011.06.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱阳军;田晓丽;孙宝刚;卢烁今 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区，以及栅极；其特征在于，还包括：位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||