| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur , caractérisé en ce qu'il comprend : - une première étape (E1) consistant à former un substrat (1) support semi-conducteur comprenant o une première couche (2) poreuse constituée d'un matériau semi-conducteur, et o une deuxième couche (9) poreuse constituée d'un matériau semi-conducteur, présentant une porosité inférieure à la porosité de la première couche (2), - une deuxième étape (E2) consistant à fournir un substrat (4) donneur semi-conducteur, comprenant une couche utile (6) constituée d'un matériau semi-conducteur, et - une troisième étape (E3) consistant à o coller le substrat (1) support et le substrat (4) donneur, o transférer au moins une partie de la couche utile (6) du substrat (4) donneur vers le substrat (1) support, pour former un dispositif (15) semi-conducteur.</p> |
