| 摘要 |
<p>본 발명은 인접한 셀 사이의 간섭에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 비휘발성 메모리 장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상의 터널절연막, 플로팅게이트, 유전체막 및 캡핑막이 순차적으로 적층된 적층패턴; 상기 적층패턴 사이의 상기 기판에 형성된 트렌치; 상기 적층패턴 사이 및 상기 적층패턴 사이 아래 상기 기판에 형성된 트렌치에 갭필된 소자분리막; 및 상기 소자분리막 및 상기 적층패턴 상에 형성된 컨트롤게이트를 포함하고, 상기 유전체막은 상기 플로팅게이트 상에만 위치하는 비휘발성 메모리 장치를 제공하며, 상술한 본 발명에 따르면, 적층패턴이 소자분리막에 의해 분리되어 플로팅게이트 상에만 유전체막이 잔류함으로써, 인접한 플로팅게이트와 유전체막 사이에서 기생 캐패시턴스가 발생하는 것을 원천적으로 방지하여 기생 캐패시턴스에 기인한 간섭에 의하여 비휘발성 메모리 장치의 특성이 열화되는 것을 개선할 수 있는 효과가 있다.</p> |
