| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供材料费廉价且球接合性、热循环试验或软熔试验的可靠性优异、保管寿命也良好的也适应于窄间距用细线化的铜系接合线。本发明的半导体装置用接合线是具有以铜为主成分的芯材、和设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层的接合线，其特征在于，所述外层的厚度为0.021～0.12μm，所述金属M为Pd，所述外层为含有50mol%以上的Pd的部位。 | ||
| 申请公布号 | CN102842539A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201210313521.3 | 申请日期 | 2008.07.24 |
| 申请人 | 新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 | 发明人 | 宇野智裕;木村圭一;寺嶋晋一;山田隆;西林景仁 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨光军;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，具有：以铜为主成分的芯材；和设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层，其特征在于，所述外层其厚度为0.021~0.12μm，所述金属M为Pd，所述外层为含有50mol%以上的Pd的部位。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||