发明名称 等离子体增强化学气相沉积装置
摘要 本发明提供了一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置,包括设置于腔室中的匀流室和工艺室,所述匀流室位于工艺室的上方,匀流室的上部设置有进气口,下部为设置有喷淋孔的喷淋板,工艺室的下部设置有下电极,匀流室的周壁与电源相连接,下电极和腔室的周壁与地相连接,在匀流室内设置有清洗电极,清洗电极通过开关装置可选择性地与电源或者地相连接。本发明因在匀流室内设置有清洗电极,则在该清洗电极接地并通入清洗气体时,在匀流室内产生等离子体,对匀流室内的污染颗粒进行有效清洗和去除,实现对匀流室的原位干法清洗,同时不影响PECVD装置正常工作和工艺,提高了PECVD装置的使用寿命和工件沉积的质量。
申请公布号 CN101880867B 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201010225093.X 申请日期 2010.07.02
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 韦刚
分类号 C23C16/50(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括设置于腔室中的匀流室和工艺室,所述匀流室位于所述工艺室的上方,所述匀流室的上部设置有进气口,下部为设置有喷淋孔的喷淋板,所述工艺室的下部设置有下电极,所述匀流室的周壁与电源相连接形成上电极,所述下电极和所述腔室的周壁与地相连接,其特征在于,在所述匀流室内设置有清洗电极,所述清洗电极通过开关装置可选择性地与所述电源或者所述地相连接。
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