| 发明名称 | 由激光照射制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：使一个半导体衬底经历在该半导体衬底的一个区域上确定其至少一个处理性能参数一个处理步骤或一系列处理步骤，并且利用具有多个激光照射参数的一个激光器照射该区域；其特征在于基于该至少一个处理性能参数来确定这些照射参数。 | ||
| 申请公布号 | CN102844852A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201080054230.6 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 爱克西可法国公司 | 发明人 | 西蒙·雷克 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 苏蕾;李冬梅 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：‑使一个半导体衬底经历在该半导体衬底的一个区域中确定其至少一个处理性能参数的一个处理步骤或一系列处理步骤，‑并且利用具有多个激光照射参数的一个激光器照射该区域；其特征在于基于该至少一个处理性能参数来确定这些照射参数。 | ||
| 地址 | 法国热讷维耶 | ||