| 主权项 |
一种含矽膜之蚀刻方法，其系对在基底膜上积层有含矽膜之被处理物进行蚀刻者，其特征在于：使包含氟系反应成分与H2O或含OH基之化合物的处理气体接触上述被处理物，根据蚀刻之进行而使上述处理气体中之H2O或含OH基之化合物的含有率改变。如请求项1之蚀刻方法，其中随着蚀刻之进行而降低上述含有率。如请求项1之蚀刻方法，其中随着蚀刻之进行而阶段性地降低上述含有率。如请求项1之蚀刻方法，其中于对上述含矽膜之应蚀刻部分的大部分进行蚀刻之期间(以下称作「第1蚀刻步骤」)，使上述含有率相对较高，于对上述含矽膜之应蚀刻部分中上述第1蚀刻步骤后所残存之部分进行蚀刻之期间(以下称作「第2蚀刻步骤」)，使上述含有率相对较低。如请求项4之蚀刻方法，其中于上述第2蚀刻步骤中，使包含露点温度为0~40℃之水分的氟系原料气体通过大气压附近之电浆空间，藉此生成氟系反应成分。如请求项4之蚀刻方法，其中于上述第1蚀刻步骤中，使包含露点温度为10~50℃之水分的氟系原料气体通过大气压附近之电浆空间，藉此生成氟系反应成分；于上述第2蚀刻步骤中，使露点低于上述第1蚀刻步骤之氟系原料气体且包含露点温度为0~40℃之水分的氟系原料气体通过大气压附近之电浆空间，藉此生成氟系反应成分。如请求项4之蚀刻方法，其中于上述第1蚀刻步骤中，使包含露点温度为10~50℃之水分的氟系原料气体通过大气压附近之电浆空间，藉此生成包含氟系反应成分与水之第1氟系反应气体，上述第1蚀刻步骤之处理气体以1：9~9：1之体积混合比含有上述第1氟系反应气体及包含氧化性反应成分之氧化性反应气体；于上述第2蚀刻步骤中，使露点低于上述第1蚀刻步骤之氟系原料气体且包含露点温度为0~40℃之水分的氟系原料气体通过大气压附近之电浆空间，藉此生成包含含有率低于第1氟系反应气体之水与氟系反应成分的第2氟系反应气体，上述第2蚀刻步骤之处理气体以1：9~9：1之体积混合比含有上述第2氟系反应气体及包含氧化性反应成分之氧化性反应气体。如请求项4之蚀刻方法，其中于上述第1蚀刻步骤中，阶段性地降低处理气体中之H2O或含OH基之化合物的含有率；并使上述第2蚀刻步骤之处理气体中的H2O或含OH基之化合物之含有率低于上述第1蚀刻步骤之最末阶段。一种含矽膜之蚀刻装置，其系对在基底膜上积层有含矽膜之被处理物进行蚀刻者，其特征在于：包括处理气体供给系统，其对上述被处理物供给包含氟系反应成分之处理气体；且上述处理气体供给系统包含：电浆生成部，其形成大气压附近之电浆空间；原料供给管线，其将作为上述氟系反应成分之氟系原料气体导入上述电浆空间；添加部，其于上述氟系原料气体中添加H2O或含OH基之化合物；以及添加率调节部，其根据蚀刻之进行而使上述添加部之H2O或含OH基之化合物之添加率改变。如请求项9之蚀刻装置，其中上述添加率调节部随着蚀刻之进行而降低上述添加率。如请求项9之蚀刻装置，其中上述添加率调节部随着蚀刻之进行而阶段性地降低上述添加率。如请求项9之蚀刻装置，其中上述添加率调节部直至上述含矽膜之应蚀刻部分之大部分被蚀刻为止，使上述添加率相对较高，于蚀刻残存之含矽膜时，使上述添加率相对较低。一种含矽膜之蚀刻装置，其系对在基底膜上积层有含矽膜之被处理物进行蚀刻者，其特征在于包括：复数个处理气体供给系统，其等喷出包含氟系反应成分之处理气体；以及切换机构，根据蚀刻之进行，选择性地切换将处理气体吹附于上述被处理物之处理气体供给系统；各处理气体供给系统包含：电浆生成部，其形成大气压附近之电浆空间；原料供给管线，其将作为上述氟系反应成分之氟系原料气体导入上述电浆空间；以及添加部，其于上述氟系原料气体中添加H2O或含OH基之化合物；且上述复数个处理气体供给系统中，至少2个处理气体供给系统的添加部之H2O或含OH基之化合物之添加率互不相同。如请求项13之蚀刻装置，其中上述切换机构随着蚀刻之进行而选择上述添加率相对较低之处理气体供给系统。如请求项13之蚀刻装置，其中上述切换机构直至上述含矽膜之应蚀刻部分之大部分被蚀刻为止，选择上述添加率相对较高之处理气体供给系统，于蚀刻残存之含矽膜时，选择上述添加率相对较低之处理气体供给系统。 |
