形成离子注入区的方法、MOS晶体管及其制造方法

摘要

一种形成离子注入区的方法、MOS晶体管及其制造方法，其中，所述形成离子注入区的方法包括：进行形成阱注入区的离子注入；进行形成第一沟道注入区的离子注入；进行形成第二沟道注入区的离子注入，所述第二沟道注入区位于待形成的源/漏区之间；进行形成阈值电压注入区的离子注入；进行热退火处理。本发明在半导体衬底内在源/漏区之间额外形成有沟道注入区，有效阻隔源/漏区之间的相互渗透，改善半导体器件的短沟道效应，避免源/漏区之间发生外溢(Overrun)、穿通(Punch-through)效应，提升半导体器件的电学性能。同时为超浅结工艺中结电容的降低和工艺窗口的扩大提供了更大的工艺调节空间。

主权项

一种在MOS晶体管的阱结构中形成离子注入区的方法，其特征在于，包括：在阱结构的底部进行形成阱注入区的离子注入；进行形成第一沟道注入区的离子注入，所述第一沟道注入区位于阱注入区的上方、待形成的源/漏区的下方；进行形成第二沟道注入区的离子注入，所述第二沟道注入区位于第一沟道注入区的上方、待形成的源/漏区之间；对于NMOS晶体管，第二沟道注入区离子注入的离子为In；In离子的注入能量为110Kev至220Kev，注入剂量为1E13至2.5E13；对于PMOS晶体管，第二沟道注入区离子注入的离子为As和/或Sb；As离子的注入能量为90Kev至180Kev，注入剂量为8E12至2.5E13；Sb离子的注入能量为120Kev至260Kev，注入剂量为8E12至2.5E13；进行形成阈值电压注入区的离子注入，所述阈值电压注入区位于阱结构的表层；进行热退火处理，形成阱注入区、第一沟道注入区、第二沟道注入区和阈值电压注入区。