发明名称 | 大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法 | ||
摘要 | 公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中,集成电路器件包括电容器,该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法。 | ||
申请公布号 | CN102832214A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN201210180087.6 | 申请日期 | 2012.06.01 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;朱鸣 |
分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种集成电路器件,包括:电容器,具有:掺杂区域,被设置在半导体衬底中;介电层,被设置在所述掺杂区域上方,以及电极,被设置在所述介电层上方;以及至少一个柱状部件,嵌入在所述电极中。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |