在等离子体离子注入过程中测量掺杂物浓度的方法

摘要

本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。

主权项

一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测基板表面上的掺杂物浓度的方法，包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。