| 发明名称 | 大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。在示例中，集成电路器件包括：设置在衬底上方的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中栅结构介于源区和漏区之间；以及插在栅结构中的至少一个柱状部件。 | ||
| 申请公布号 | CN102832215A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210180364.3 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;朱鸣 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：设置在衬底上的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中所述栅结构介于所述源区和所述漏区之间；以及嵌入在所述栅结构中的至少一个柱状部件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||