| 发明名称 | 一种吸收电容结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型是一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。使用时，将本实用新型的端子分别与IGBT对应的管脚直接连接，形成本实用新型与IGBT直接并联的结构。本实用新型的有益效果是，将电容做一体化设计，通过内部封装，引出与IGBT管脚一一对应的端子，直接并联在IGBT的模块上，具有装配方便，同时电容与IGBT模块等高，可以很方便地固定在IGBT模块的散热器上，有利于器件的散热，降低吸收电容的温升，有效地提高吸收电容的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN202616046U | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201220182743.1 | 申请日期 | 2012.04.26 |
| 申请人 | 美的集团有限公司 | 发明人 | 金红旗;李彦栋;黎捷勇 |
| 分类号 | H01G4/38(2006.01)I;H01G4/224(2006.01)I;H01G4/236(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。 | ||
| 地址 | 528311 广东省佛山市顺德区北滘镇美的大道6号 | ||