| 摘要 |
<p>본 발명은 시분해 자외선 근접장 주사 광학현미경 및 이를 이용한 측정방법에 관한 것으로서, 자외선을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 조사된 자외선을 집광시켜 시료에 조사하는 대물렌즈; 상기 시료로부터 방출되는 광을 검출하는 탐침; 상기 탐침에 의해 검출된 광 중에서, 상기 시료에 따라 검출을 원하는 파장의 광을 검출하는 분광기; 상기 분광기에 의해 검출된 광으로 시간상관단일광자 계수법(TCSPC)에 의해 상기 시료의 발광소멸시간을 측정하는 시간상관단일광자계수기;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 자외선 광원을 사용함으로써, 반도체화합물의 발광효율이 급격히 증가하여 충분한 양의 광이 소자로부터 방출되므로, 종래 측정하기 어려웠던 반도체화합물의 발광특성을 높은 감도로 측정할 수 있으며, 시간상관단일광자 계수법을 근접장 주사 광학현미경에 적용함으로써, 바이오물질과 반도체화합물의 자외선 영역에서의 발광특성을 약 50nm의 공간분해능, 약 50ps의 시간분해능으로 정밀하게 측정이 가능한 장점이 있다.</p> |
