发明名称 提高半加成工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法
摘要 提高半加成工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,先将金属箔进行粗糙处理,再将金属箔与尚未完全固化的积层基材层压,然后将层压后的板的外层金属箔减薄至适合激光直接钻孔的厚度,再对金属箔外表面进行表面处理后进行激光直接钻孔和机械钻通孔,然后进行去钻污,再将金属箔通过化学腐蚀去除,露出粗糙的积层基材表面,这样,经过粗糙处理的金属箔的表面粗糙轮廓如铸造模具的内表面轮廓留在浇注件上一样留在积层基材上,以达到对积层基材的粗糙处理,增加积层基材与后续SAP工艺将沉积在积层基材上的积层导体层之间的结合力,然后再在此积层基材表面进行后续一般的导体层积层SAP工艺。
申请公布号 CN102307437B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN201110243901.X 申请日期 2011.08.24
申请人 上海美维科技有限公司 发明人 方军良;付海涛
分类号 H05K3/38(2006.01)I 主分类号 H05K3/38(2006.01)I
代理机构 上海开祺知识产权代理有限公司 31114 代理人 竺明
主权项 提高半加成工艺中积层基材与积层导体层结合力的方法,其包括如下步骤:1)对金属箔进行表面粗糙处理,处理后金属箔的粗糙度为:Ra为0.2微米~5微米,Rz为2微米~20微米;2)将处理后的金属箔与尚未完全固化的积层基材和/或芯板层压固化;3)将层压后的板的外层金属箔用物理或者化学腐蚀的方法减薄到适合激光直接钻孔的厚度;4)将层压并减薄后的板的外层金属箔进行表面处理,表面处理包括研磨、腐蚀、棕化、粗化、超粗化中一种以上,以增加金属箔对激光的吸收;处理后金属箔的粗糙度为:Ra为0.3微米~3微米,Rz为1微米~10微米;5)在经过表面处理的外层金属箔上进行激光直接钻孔,形成微盲孔,然后进行机械钻孔形成通孔;6)进行去钻污,去除微盲孔和通孔中的钻污;7)将外层金属箔通过化学腐蚀去除,露出粗糙的积层基材表面;8)在积层基材表面进行后续一般的导体层积层半加成工艺,即化学镀积层导体、电镀积层导体和积层导体图形制作。
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