单井电压的电压电平转换器

摘要

本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。

主权项

一种电压电平转换器，包括：一第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源(VDDL)和一第二正电压电源(VDD)连接的一栅极、一源极和一基质，其中，所述第一正电压电源的电压低于所述第二正电压电源的电压；一第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有与一输出节点连接的一漏极、以及均与所述第二正电压电源(VDD)连接的一源极和一基质；以及一第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有分别与所述输出节点和所述第二PMOS晶体管的所述栅极连接的一栅极和一漏极、以及均与所述第二正电压电源(VDD)连接的一源极和一基质，其中，所述第一、第二、以及第三PMOS晶体管形成在仅连接至所述第二正电压电源(VDD)的一单N井中，从而减少了所述电压电平转换器的布局面积。